華邦電在AI Learning的Edge端，已有超過10個Design win
財訊快報2024年10月19日 週六 下午2:55
【財訊快報／記者李純君報導】華邦電(2344)報喜，跨足AI領域有捷報，除已獲政府晶創計畫五億元補助外，在AI Learning的Edge端，已有超過10個Design win，靜待後年量產，注入新的營運成長商機。華邦電副董事長詹東義表示，以華邦電在DRAM市場的佈局來看，最初是標準型，後來進到利基領域，而國際三大製造商都搶進HBM，主要是在AI雲端，華邦電則著重在AI邊緣Edge，不久會更會有客製化AI Learning相關產品，預計2025年會有產出，放量出貨會在2026年。他也強調，要投入AI邊緣Edge的DRAM，需要具備三個優勢，20奈米產線、多層封裝與Wafer on Wafer技術、客製化能力。
總經理陳沛銘今（19）日透露，近期在AI領域，政府有經濟部的晶創計畫，這次核准了很多家公司，都是設計公司，但有一家有Fab的就是華邦電，華邦電的CUBE，獲得三年分階段共計五億五千萬元的補助，而當中也有一家新的AI公司叫做Neuchip，其AI計畫便是採用華邦電的記憶體。
陳沛銘透露，華邦電的CUBE，目前Design win有超過十個案子，其中還有客戶一口氣有三個案子，主要是應用在AI相關的穿戴裝置或是手錶，範疇包括Edge到LLM，功能是NPU，第一個客戶是美商，用在穿戴裝置，規劃後年量產，且這個客戶還計畫後續三年會每年開一顆晶片。
附帶一提，焦佑鈞透露，新唐在AI領域也有好消息，主要是微型的機器學習 MCU，可以應用在智慧電錶、智慧水錶，甚至工廠自動化也可以用。顯見華邦電、新唐均積極邁向AI領域，並有望在明後年邁入收割期。
南亞科、華邦電 受惠AI NB商機
時報資訊2024年7月6日 週六 下午3:16\
【時報-台北電】AI NB成長動能看俏，TrendForce預估，隨AI NB滲透率自2024年的1％，提升至2025年的20.4％，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將帶動整體平均搭載容量成長0.8GB，增幅至少為7％。
TrendForce認為，由於國際雲端大廠（CSP）在完成一定數量的AI訓練用Server基礎設施之後，2025年將更積極從雲端往邊緣AI如製造、金融、醫療和商務等各領域發展。
因AI PC及NB的電腦基本架構，和AI Server較為相近，且具一定程度運算能力，可望成為CSP連接AI基礎建設和邊緣AI小型訓練或推論應用的最後一哩路，並預估2024年NB DRAM平均搭載量11.8GB，年增12％。
法人認為，AI PC滲透率愈高，將有助於DRAM搭載量，以及整體DRAM市場需求，加計高頻寬記憶體（HBM）的產能排擠效應延續，DRAM合約價漲勢仍延續中，有利於南亞科（2408）、華邦電（2344）等記憶體廠商後市表現。
南亞科及華邦電雖未切入HBM市場，但南亞科投資1B製程產能，以求取得進入DDR5伺服器市場門票。華邦電則投資20奈米產能，以期進入HBM-like市場，並保有DDR4產品線完整性。
法人預期，隨著記憶體產業景氣的回升，兩家公司業績重返成長軌道。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)
iPhone 12採用OLED螢幕 法人估華邦電受惠
中央社2020年10月21日 下午7:41（中央社記者張建中新竹2020年10月21日電）蘋果（Apple）iPhone 12預購火熱，且全系列採用OLED螢幕，市場看好，蘋果編碼型快閃記憶體（NOR Flash）供應商華邦電 (2344) 營運可望受惠。
除蘋果擴大採用OLED螢幕機種外，法人指出，中國大陸晶圓代工廠中芯過去為NOR Flash廠兆易創新代工生產，隨著中芯遭美國列入黑名單，可能連帶影響兆易創新NOR Flash供給。
法人預期，華邦電可望趁機搶占兆易創新市占，提升對蘋果供貨比重。此外，隨著NOR Flash市場供給減少，對產品價格將有正面助益，華邦電與旺宏 (2337) 都可受惠。
受惠旗下子公司新唐 (4919) 完成收購Panasonic半導體事業效益，華邦電9月營收竄升至74.77億元，一舉創下單月業績歷史新高，法人預期，在新唐收購效益持續發酵，華邦電第4季業績將可改寫歷史新高紀錄。
旺宏、華邦電可望迎轉單 上周法人先布局
【時報記者沈培華台北報導】大陸晶圓代工廠中芯國際正式公告，說明美國出口限制。由於大陸NOR Flash大廠兆易創新每月委由中芯代工約1萬片，禁令若正式發布會造成中芯供貨減少，有助於市況穩定，台廠旺宏(2337)及華邦電(2344)也可望受惠於轉單效應。
中芯國際10月4日發布正式公告，針對美國商務部向其供應商發出信函，對於向中芯出口的部分美國設備、配件及原物料會受到美國出口管制規定進行說明。
中芯受美制裁，除了進口設備面臨限制，以及非中國客戶恐將為了降低風險而轉單至非陸系晶圓廠，此外，由於陸廠兆易創新(GigaDevice)供應Apple Airpods所使用的NOR Flash在中芯國際以65/55奈米製程製造，也有機會將轉單至台廠華邦電、旺宏等。
上周，外資買超記憶體股包辦買超個股前三名；上周外資買超旺宏29415張，買超華邦電27505張，買超南亞科22089張。本土法人也對此三檔站在買方。
投信上周買超旺宏5126張，買超華邦電270張，也同步買超南亞科2236張。上周，自營商買超旺宏2192張，買超華邦電1874張，買超南亞科867張。
不過，美國記憶體大廠美光對展望不如市場預期，股價於台股中秋連假期間持續下跌。美光上周五收46.55美元，跌幅2.86%。今年至今，美光股價累計下跌約13%，表現不如美股。
美光上季獲利成長，但隨疫情而來的經濟不確定性依然存在，加上華為禁令帶來的負面影響，美光對第1季展望遜於市場預期；美光也是華為禁令下的受害者。美光在9月14日停止出貨晶片給華為；美光第4季營收約10%來自華為。
看記憶體產業景氣 焦佑鈞：審慎不悲觀
鉅亨網記者林薏茹 台北 2020年6月12日 下午12:33〈華邦電股東會〉看記憶體產業景氣 焦佑鈞：審慎不悲觀
記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (12) 日召開股東會，董事長焦佑鈞指出，雖然總體經濟不樂觀，但今年前 5 月營運表現受疫情影響不大，若消費者出來消費，就可望帶動經濟快速反彈，看產業景氣「審慎不悲觀」；對於華為禁令，短期內營運一定有影響，正爭取其他供應商的市場機會。
焦佑鈞表示，公司產品出現在所有民生用品裡，因此當全球 GDP 成長率不佳時，必然會影響公司生意，從全球主要機構對今年 GDP 的預測約落在 - 4% 至 - 6%，從這個數字看起來非常不樂觀，疫情衝擊已發生在第 1 季、第 2 季。
不過，焦佑鈞指出，雖然總體經濟非常不樂觀，但與公司業績數字無法完全連結，從 1 至 5 月營收表現來看，受疫情影響不大；而各國政府也提出很多景氣刺激措施，消費者目前看起來手中是有錢的，若消費者出來消費，就可望帶動經濟快速反彈，整體而言，看產業景氣「審慎不悲觀」。
焦佑鈞表示，上半年包括遠距教學、在家工作等應用需求均成長，但消費品、汽車應用明顯衰退；一個月前客戶原先認為，Chromebook 需求將維持至第 3 季，但目前看來，可望延續至第 4 季，筆電應用需求動能強勁，汽車應用也有部分廠商開始重新備貨。
華邦電去年第 4 季受到 DRAM 價格下滑衝擊，加上 25 奈米新製程開發成本高二大因素影響，單季營運轉虧，今年第 1 季本業獲利轉盈，但仍須認列業外損失，營運續虧，不過，焦佑鈞說，從新製程開發與良率表現來看，今年會漸入佳境，效益已從本季顯現，第 3 季起應該會更好。
談及美國進一步擴大華為禁令對營運的衝擊，焦佑鈞說，禁令短期內對營運有影響，若原有客戶需求減少，將爭取其他供應商的市場機會，目前還處於銜接過程。
焦佑鈞認為，美國政府嘗試打擊某家供應商時，必然帶給其他供應商機會，美國政府目的是盼美國廠商能抓到機會，全球其他廠商也會極力爭取，不過，而目前華邦電最重要的，就是面對不斷發生的黑天鵝，擁有彈性因應的能力。
軍車用、工業領域
2020/02/18 07:58 時報資訊【時報-台北電】記憶體大廠華邦電 （2344） 17日宣布，開發出業界首款新型高速OctalNAND Flash產品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，OctalNAND Flash可望於1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業應用領域穩健可靠的儲存記憶體。
華邦電去年第四季雖然小虧，但全年仍維持獲利。去年合併營收487.71億元，歸屬母公司稅後淨利12.56億元，與前年相較減少83.1％，每股淨利0.32元。今年以來記憶體價格止跌回升，但因農曆春節長假導致工作天數減少，華邦電公告1月合併營數月減9.6％達36.83億元，較去年同期減少5.0％。法人預估華邦電2月營收回穩，3月後營收表現將進入新一波的成長循環。
華邦電認為新冠肺炎的影響是短期，3月會恢復產業供需秩序，而隨著5G等應用帶動記憶體需求，加上上半年遞延的需求會在下半年快速補上，預期下半年DRAM及NAND/NOR Flash市場將供需平衡甚至是供不應求。華邦電今年資本支出提升至143億元，較去年的132億元增加約8％，維持近4年來積極布局策略。
隨著5G商用帶動人工智慧物聯網（AIoT）市場快速成長，但用來儲存程式碼的NOR Flash卻因容量需求愈高，成本也出現倍數成長，特別是在512Mb以上的儲存容量NOR Flash成本擴充效益不佳。華邦電宣布推出同樣採用序列x8 Octal介面的OctalNAND Flash，可望提供車用電子與工業製造商高容量的儲存記憶體產品，無須屈就成本砸大錢購買NOR Flash。
華邦電表示，NOR Flash技術可靠性高且讀寫速度快，可支援快速啟動，因而華邦電客戶大多以此技術作為記憶體存儲方案。然而目前業界的晶圓製程技術，在NOR Flash記憶體容量達512Mb的情況下，晶片尺寸已經到達了業界標準封裝的極限，超過512Mb容量後擴充效益低落，並大幅推升晶片尺寸與封裝成本。
華邦電首款1Gb容量OctalNAND Flash連續讀取速度最高可達每秒240MB，相較華邦電先前發表的高效能QspiNAND Flash系列產品速度高出3倍，相較於市面上一般Quad Serial介面NAND Flash產品的讀取速度更是快了將近10倍。新產品採用華邦電46奈米SLC NAND製程，資料保存期可達10年以上，寫入及抹除次數可達10萬次以上，符合關鍵任務型車用與工業應用所需的高耐用性與高可靠性。（新聞來源：工商時報─涂志豪／台北報導）
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