6411晶焱

搭5G順風車，晶焱快充訂單增

2019/12/23 07:54 時報資訊
2020年5G智慧手機將可望如雨後春筍般冒出，由於功耗提升問題，因此品牌廠導入高通平台的Quick Charge 4+技術之外，亦將再度提升自家快充規格的滲透率。供應鏈指出，在快充規格及滲透率同步上升狀況下，過度電性應力（EOS）危害智慧手機狀況將更加嚴峻。供應鏈指出，晶焱 （6411） 已經拿下5G智慧手機的EOS晶片訂單，可望搭上2020年的5G手機商機。

　三星、華為、OPPO、Vivo及小米等各大手機品牌已經相繼對外宣布將在2020年第一季推出全新5G智慧手機。其中，5G智慧手機由於傳輸距離較短，且訊號容易被遮蔽，因此除了必須強化射頻模組規格之外，功率放大器（PA）用量將大幅增加，在射頻相關晶片用量提升下，功耗自然也將高於4G智慧手機。


　因此，在電池模組規格無法顯著增加下，系統廠只能朝向提高快充方向發展，各大手機品牌將可望加快導入高通當前最新的Quick Charge 4+快充技術，且華為、OPPO及Vivo等陸系品牌也將強化自家快充規格。

　無論是哪種快充技術，功率都在不斷增大，小則18W，大則50W，充電器輸出電壓從5V升至9V／10V／12V，甚至更高，且充電環境複雜多樣，原本普通5V／1A常規充電，都極易遭受EOS破壞，而大功率快充過程，更涉及高壓大電流及更多器件模組，EOS波動極有可能更大更頻繁，若手機充電端無有效EOS保護方案，後端電源管理模組（PMU）等IC會損壞導致手機故障。

　針對類似狀況，晶焱在手機充電端已經推出新品，準備搶攻這波5G智慧手機的快充商機。晶焱指出，自家推出的EOS保護方案結合手機充電原理，不影響正常充電功能及信號傳輸，可應對用戶頻繁插拔充電和複雜使用環境問題，使用手機免受EOS破壞，大大減少手機故障事件。

　法人指出，隨著5G智慧手機將於2020年大舉到來，晶焱傳出已經接獲2020年的智慧手機新機訂單，一旦5G手機需求進入爆發性成長，晶焱後續接單將可望同步暢旺。（新聞來源：工商時報─蘇嘉維／台北報導）

晶焱ESD攻7奈米製程，Q4不淡

人工智慧（AI）、5G等趨勢不斷推進發展下，採用7奈米製程的晶片從2019年開始陸續問世，2020年需求量可望再度成長。靜電防護（ESD）廠晶焱 （6411） 已推出應對7奈米製程的ESD／EOS防護元件產品線，大舉搶攻先進製程市場。

　晶焱公告10月合併營收2.21億元、月增9.63％，寫下連續兩個月成長，相較2018年同期亦上升8.28％，累計2019年前10個月合併營收21.93億元，創歷史同期第三高。法人看好，晶焱第四季業績可望受5G智慧手機提前拉貨，推動業績不淡，2020年營運將勝2019年。


　隨人工智慧的蓬勃發展，加上5G即將於2020年在全球各大開始商轉，系統廠為刺激消費者購買產品，因此必須在終端產品的軟硬體不斷升級，其中硬體功能在晶圓代工龍頭台積電推進到7奈米製程發展下，各大系統廠都已經相繼採用。

　舉凡蘋果的A13處理器、超微的最新一代處理器及繪圖晶片、寒武紀的AI運算晶片，亦或是聯發科即將推出的5G手機晶片都已經邁向7奈米世代，截至2019年底，台積電將可望有超過100款新晶片完成7奈米設計定案，顯示先進製程在5G、AI趨勢發展顯顯得格外重要。

　隨先進製程不斷推進，在晶片中的閘極氧化層變得更薄情況下，抗靜電能力也就隨之減弱。晶焱指出，採用先進製程技術製造的晶片電路中的閘極氧化層較薄，以致於在相同電壓條件下所造成的電場強度更強，使得閘極氧化層更容易受到遭受損壞，靜電防護能力也隨之下滑，導致增加IC毀損機率的主因，對於靜電突波所帶來的威脅愈發不可小覷。

　由於7奈米製程處理器維持運作電壓以3.3V低電為主，低電壓帶來的優勢就是功耗降低，但對於電源雜訊的容忍度也隨之下降。晶焱指出，已經開發出針對低電壓的ESD／EOS防護元件。

　法人指出，在先進製程即將從現今7奈米推進到5奈米製程技術趨勢，將可望帶動ESD／EOS防護元件需求更上一層樓，晶焱目前打入智慧手機、固態硬碟（SSD）、消費性電子及車用等市場，未來接單力道將可望更加暢旺。
2019/11/20 07:54 時報資訊