一張財報表挑出ESP為正、營業現金流卻是負值的公司

每當財報公布時,大多數投資人都只關注獲利數字或成長性。 其實,透過現金流量表檢視企業獲利品質,更能找到真正放心投資的標的。 檢視一家公司是否具有投資價值,「獲利能力」永遠是擺在第一且為最重要的指標,唯有獲利穩定成長的公司,才會在投資市場受到歡迎與肯定。而檢視獲利的最佳方法,當然就...

2019年7月23日 星期二

3707漢磊

碳化矽新產能開出,漢磊H2成長引擎重新啟動,全年營收挑戰雙位數成長

2023年1月30日 週一 下午2:58
【財訊快報/記者張家瑋報導】受惠於車用及綠能需求帶動,漢磊(3707)碳化矽產能持續滿載,下半年隨著新產能開出,營運動能可望重新啟動,抵銷消費性電子疲弱不振缺口,法人預估全年營收可望挑戰雙位數成長。 漢磊去年受惠於車用、資料中心及綠能強勁需求帶動,矽基材及碳化矽營運動能強勁,不過,下半年受消費性電子庫存去化、需求不振影響,營運成長引擎熄火,其消費性電子營收占比達四成,唯獨車用營運成長保持不墜,尤其以4、6吋碳化矽產能保持滿載狀態,2022年營收較前一年呈倍數成長。

展望2023年,聚焦四大平台:化合物半導體、FRD(快速回復二極體)、TVS(暫態電壓抑制器)、ATV MOSFET,終端應用於消費性電子需求持續不佳,唯獨化合物半導體碳化矽產能利用率維持滿載,訂單仍供不應求,漢磊今年大幅擴增碳化矽產能,該公司預期今年化合物半導體營收維持20%成長,產能將逐季增加,年營收占比挑戰50%以上,預估今年資本支出維持在4500至5500萬美元,未來6吋碳化矽產能持續擴增,會是過去產能5倍以上。

法人指出,觀察目前碳化矽市況,需求熱絡、訂單仍供不應求,漢磊碳化矽產品包括:MOSFET及蕭基特二極體,目前仍以蕭基特二極體占比較大,不過,面臨陸廠競爭,漢磊逐漸轉往MOSFET產品,由於MOSFET產品單價二極體約1.5至2倍,隨著下半年新產能開出,對於營收獲利將有效貢獻。


GaN崛起 漢磊、嘉晶卡位成功

5G、電動車等市場將可望在2020年進入高速成長階段,由於高功率電源需求興起,研調機構預期2020年GaN磊晶晶圓需求將可望挑戰年增5成水準,顯示氮化鎵(GaN)磊晶晶圓未來將開始進入爆發成長期。


法人表示,漢磊控股(3707)及轉投資矽晶圓廠嘉晶(3016)已經具備GaN磊晶晶圓搭配矽(Si)、碳化矽(SiC)等新世代高功率製程的生產能力,未來有機會搶下大筆5G基地台、電動車等新藍海訂單。

5G、電動車市場將可望在2020年進入高速成長市場,由於5G、電動車等新應用在用電需求上皆須達到高功率水準,因此將可望推動應用在高功率的GaN磊晶基板需求興起。

其中,5G基地台正是首要應用之一,研調機構資策會指出,以GaN磊晶作為基板搭配矽組成的矽基氮化鎵(GaN on Si)未來將可望被大幅應用在基地台的功率放大器(PA);至於電動車市場由於需要具備承受瞬間高功率電流,因此對於以氮化鎵為基板的SiC材料亦相當注重。

根據資策會預估,進入2020年後,以氮化鎵為基板導入矽、SiC及氮化鎵等材料的晶圓需求,將可望達到6,435平方公尺,相較2019年將可望成長52.49%,市場規模更上看790億美元,年增幅超越兩成水準,因此未來GaN基板市場發展將可望備受市場期待。

事實上,目前國際IDM大廠都已經相繼投入GaN、SiC等功率半導體的技術研發,其中英飛凌(Infineon)、安森美(On Semiconductor)及意法半導體(ST)等大廠看好未來5G、高速運算資料中心及車用市場未來將可望朝向該領域發展,正在力拼逐步拉高產能。

據了解,目前漢磊及旗下嘉晶早在數年前就已經展開GaN及SiC的製程研發,目前已經具備GaN磊晶導入矽、SiC及GaN等製程的生產實力,可望在2019年下半年開始小量生產。法人看好,隨著5G、電動車等市場規模逐步擴大,漢磊及嘉晶將可望搶下國際IDM大廠及IC設計廠的訂單。

2019/07/24
5G、電動車等市場將可望在2020年進入高速成長階段,由於高功率電源需求興起,研調機構預期2020年GaN磊晶晶圓需求將可望挑戰年增5成水準,顯示氮化鎵(GaN)磊晶晶圓未來將開始進入爆發成長期。

 法人表示,漢磊控股 (3707) 及轉投資矽晶圓廠嘉晶 (3016) 已經具備GaN磊晶晶圓搭配矽(Si)、碳化矽(SiC)等新世代高功率製程的生產能力,未來有機會搶下大筆5G基地台、電動車等新藍海訂單。

 5G、電動車市場將可望在2020年進入高速成長市場,由於5G、電動車等新應用在用電需求上皆須達到高功率水準,因此將可望推動應用在高功率的GaN磊晶基板需求興起。

 其中,5G基地台正是首要應用之一,研調機構資策會指出,以GaN磊晶作為基板搭配矽組成的矽基氮化鎵(GaN on Si)未來將可望被大幅應用在基地台的功率放大器(PA);至於電動車市場由於需要具備承受瞬間高功率電流,因此對於以氮化鎵為基板的SiC材料亦相當注重。

 根據資策會預估,進入2020年後,以氮化鎵為基板導入矽、SiC及氮化鎵等材料的晶圓需求,將可望達到6,435平方公尺,相較2019年將可望成長52.49%,市場規模更上看790億美元,年增幅超越兩成水準,因此未來GaN基板市場發展將可望備受市場期待。

 事實上,目前國際IDM大廠都已經相繼投入GaN、SiC等功率半導體的技術研發,其中英飛凌(Infineon)、安森美(On Semiconductor)及意法半導體(ST)等大廠看好未來5G、高速運算資料中心及車用市場未來將可望朝向該領域發展,正在力拼逐步拉高產能。

 據了解,目前漢磊及旗下嘉晶早在數年前就已經展開GaN及SiC的製程研發,目前已經具備GaN磊晶導入矽、SiC及GaN等製程的生產實力,可望在2019年下半年開始小量生產。法人看好,隨著5G、電動車等市場規模逐步擴大,漢磊及嘉晶將可望搶下國際IDM大廠及IC設計廠的訂單。
2019/07/24

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